趋势一：摩尔定律还有用，将为半导体技术续命8到10年… 在接下来的8到10年里，CMOS晶体管的密度缩放将大致遵循摩尔定律。这将主要通过EUV模式和引入新器件架构来实现逻辑标准单元缩放。 在7nm技术节点上引入了极紫外（EUV）光刻，可在单个曝光步骤中对一些最关键的芯片结构进行了设计。
陈玉东表示，当前，全球半导体市场受五个主要趋势影响——科技行业巨头开始自研芯片；大规模晶圆厂建设投资增长；初创企业对老牌企业带来冲击；技术及材料持续创新；应用市场持续增长。 博世预测，半导体业还会持续不断地发展，2030年市场规模会达到10300亿美元，其中汽车半导体会达到1600亿美元。
未来，中国半导体的发展趋势主要表现在：第一，政策引导推动集成电路成为战略性产业。第二，新兴技术将成为集成电路产业的未来核心产品。第三，核心技术及人才资源成为集成电路产业的可持续发展力。
未来，在市场规模趋势方面，我国第三代半导体行业将持续保持高速增长；在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长，GaN应用场景将进一步拓展；在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。
半导体性能越来越强，对材料的要求自然水涨船高。为了能生产第三代半导体材料，上世纪60年代末，一种把金属有机化合物气化，在高温反应室里发生化学反应得到相应材料的技术——MOCVD，成为了主流技术。用于这种技术的金属有机化合物统称MO源。全世界MO源供应商有4家玩儿得最大，对岸3家我国1家。
第四代半导体材料：以氧化镓（Ga2O3）为代表 作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。
揭秘未来电子的突破：第四代半导体的革新力量在科技不断革新的浪潮中，第四代半导体材料以氧化镓（ Ga2O3）和锑化物等为代表，正在悄然改变电子世界的格局。相较于传统的硅（Si）半导体，它们展现了前所未有的性能优势，尤其在极端环境的挑战下，为光电器件和电力电子器件的革新提供了无限可能。
氮化镓和第四代半导体是一个东西。氧化镓因为其具有超宽能隙的特性所以被称为第四代半导体。相较于第三代半导体碳化硅与氮化镓，第四代半导体将使材料能承受更高电压的崩溃电压与临界电场。
第四代半导体通常是指窄带隙半导体材料，特别是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），它们作为半导体材料在电子和电力应用领域具有重要的潜力。氮化镓和碳化硅都属于第四代半导体材料。 氮化镓 （GaN）：氮化镓是第四代半导体中的一种材料。
首先，第一代半导体，以硒和锗为代表，它们是无线电和早期放大器的基石。尽管它们是间接带隙材料，但在分立器件领域发挥着重要作用，开启了电子设备的早期篇章。第二代半导体，硅的登场彻底改变了电子世界。作为直接带隙材料，硅的高速和高频特性使得它在微波通信、计算机等领域大放异彩。
第四代半导体存储芯片主要包括：FeRAM（铁电RAM）：利用铁电材料形成的电场来存储数据，具有高速读写、低功耗、数据可靠性高等特点。MRAM（磁电阻RAM）：利用自旋极化效应来存储数据，在高速读写、大容量等方面有很大优势。
中科院今天宣布，国内学者研发出了一种简单的制备低维半导体器件的方法——用“纳米画笔”勾勒未来光电子器件，它可以“画出”各种需要的芯片。随着技术的发展，人们对半导体技术的要求越来越高，但是半导体制造难度却是越来越大，10nm以下的工艺极其烧钱，这就需要其他技术。
纳米低维半导体材料/，如二维超晶格、量子阱、量子线和量子点，是人工设计的新型半导体材料。MBE、MOCVD技术和微细加工技术的发展，推动了纳米半导体材料的生长、制备和量子器件的研发。信息存储方面，磁记录材料目前仍是主要存储方式，预计到2006年，磁性材料的磁记录单元尺寸将达到物理极限的100Gb/in2。
具体内容介绍如下：课程编号：71020013 课程名称： 半导体器件物理进展 任课教师：许军 内容简介：半导体复杂能带结构与晶体对称性分析；载流子散射理论与强场热载流子输运；短沟MOS器件物理；异质结构物理与异质结器件；半导体的光电子效应与发光；非晶半导体与器件。
纳米低维半导体材料，如二维超晶格、量子阱、量子线和量子点，是人工设计的新型半导体材料。MBE、MOCVD技术和微细加工技术的发展，推动了纳米半导体材料的生长、制备和量子器件的研发。信息存储方面，磁记录材料目前仍是主要存储方式，预计到2006年，磁性材料的磁记录单元尺寸将达到物理极限的100Gb/in2。
